内存容量自动识别 - 版本历史

Comcat：/* SPD Table */

2014-11-11T05:15:37Z

‎SPD Table

Comcat：/* SPD Table */

2014-11-11T05:13:44Z

‎SPD Table

Comcat：以“== 概述 == 现在内存条上皆有一个 8 针的 EEPROM 芯片（大约为 3mm x 2mm x 1.5mm）记录该内存条的一些参数信息，如工作频率，工...”为内容创建页面

2014-11-11T05:13:20Z

以“== 概述 == 现在内存条上皆有一个 8 针的 EEPROM 芯片（大约为 3mm x 2mm x 1.5mm）记录该内存条的一些参数信息，如工作频率，工...”为内容创建页面

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== 概述 ==

现在内存条上皆有一个 8 针的 EEPROM 芯片（大约为 3mm x 2mm x 1.5mm）记录该内存条的一些参数信息，如工作频率，工作电压，行地址位宽，列地址位宽等等。一般称该芯片为 SPD (Serial Presence Detect) 芯片。

内存条上的 SPD 容量一般为 256 字节，使用 I2C 接口，因此要读取其中的信息，得先初始化好 I2C 总线控制器，欣慰的是 I2C 是一个很简单的总线。

 

== SPD Table ==

一般称 256 字节的 SPD 数据位 SPD Table，其每一字节是为一个数据单位。择其要着，简述如下：

<source lang=cpp>
Byte 1:
SPD 容量，常见的为 256B (0x08, 2^8)，也有 128B (0x07, 2^7)

Byte 3:
行地址位宽，0x0E (14 bits)，0x0C (12 bits)

Byte 4:
列地址位宽，0x0A (10 bits)

Byte 5:
Number of physical banks on DIMM，物理 bank 数，Module Bank 数，又称 rank 数。rank 的集合一般称为一个 module（相当于一个内存条）

Byte 6:
Module Width of this assembly，数据总线接口位宽，现在一般为 64 bit，ECC 的为 72 位。指的是一个 rank 的总线位宽，多个 rank 通过片选来切换，对外而言实际上就是 Module （rank 的集合）的数据位宽

Byte 7:
Module Width of this assembly (high bits)，数据总线接口位宽的扩展字节，用于 Byte 6 不够用的情形

Byte 11:
DIMM Configuration Type，数据校验类型，有：
ECC: 0x00，则 64 bit 之数据宽度还要加一个 8 bit，一共 72 bit。计算容量时要剔除这 8 bit
Non ECC: 0x02

Byte 13:
Primary SDRAM Width，芯片的位宽，一般为 8 bits 或 16 bits，此为单个内存颗粒 (chip) 内部 bank 的位宽，多个 bank 通过片选切换，因此亦可称其为单个 chip 的位宽。

Byte 17:
Number of Banks on SDRAM Device，内存颗粒 (chip) 内部 bank 数，一般为 4
</source>

多个 bank 是为一个 chip，数据位宽为 sdram_width

多个 chip 组成一个 rank，数据位宽为 data_width

多个 rank 合为一个 Module （内存条），数据位宽仍为 data_width

因此： n_chips_per_rank = data_width / sdram_width

总 chips 数为： n_chips = n_chips_per_rank * n_ranks_per_module

每个 chips 的容量则为：chip_size = 2 ^ (n_cols + n_rows) * sdram_width * n_banks_per_chip

列地址位宽和行地址位宽是 chip 内之 bank 的参数

故内存总容量为：

<source lang=bash>
memery_size = 2 ^ (n_cols + n_rows) * data_width * n_banks_per_chip * n_ranks_per_module
</source>

还有一个简化的计算方法：

<pre>
Byte 31:
Module Bank Density，每个 rank 的容量。其值含义为：
0x08 32 MB
0x10 64M
0x20 128MB
0x40 256MB
0x80 512MB
</pre>

可以简化为 rank_density * 4MB

则另一个计算方法为：

memory_size = rank_density * 4MB * n_ranks_per_module

@@ 第44行： / 第44行： @@
 Number of Banks on SDRAM Device，内存颗粒 (chip) 内部 bank 数，一般为 4
 </source>
 多个 bank 是为一个 chip，数据位宽为 sdram_width
@@ 第49行： / 第53行： @@
 多个 chip 组成一个 rank，数据位宽为 data_width
 多个 rank 合为一个 Module （内存条），数据位宽仍为 data_width
-因此： n_chips_per_rank = data_width / sdram_width
+== 容量计算 ==
-总 chips 数为： n_chips = n_chips_per_rank * n_ranks_per_module
+每个 rank 所含 chip 的数为：
 列地址位宽和行地址位宽是 chip 内之 bank 的参数
 故内存总容量为：

@@ 第26行： / 第26行： @@
 Byte 6:
-Module Width of this assembly，数据总线接口位宽，现在一般为 64 bit，ECC 的为 72 位。指的是一个 rank 的总线位宽，多个 rank 通过片选来切换，对外而言实际上就是 Module （rank 的集合）的数据位宽
+Module Width of this assembly，数据总线接口位宽，现在一般为 64 bit，ECC 的为 72 位。指的是一个 rank 的总线位宽，多个 rank 通过片
 Byte 7:
@@ 第37行： / 第38行： @@
 Byte 13:
-Primary SDRAM Width，芯片的位宽，一般为 8 bits 或 16 bits，此为单个内存颗粒 (chip) 内部 bank 的位宽，多个 bank 通过片选切换，因此亦可称其为单个 chip 的位宽。
+Primary SDRAM Width，芯片的位宽，一般为 8 bits 或 16 bits，此为单个内存颗粒 (chip) 内部 bank 的位宽，多个 bank 通过片选切换，因
 Byte 17: