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== Overview == * VRWM:反向截止电压,通俗地讲,就是 ESD 允许施加的最大工作电压,在该电压下 ESD 处于截止状态,此时 ESD 的漏电流很小,为几 uA 甚至更低。 * VBR:击穿电压,击穿电压是 ESD 要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为 1mA 的 电流下测量。 * IPP:峰值脉冲电流,一般采用8/20μs的波形测量。 * IR:反向漏电流,即在 ESD 器件两端施加 VRWM 电压下测得 ESD 的漏电流。 • VC: 钳位电压,在给定大小的 IPP 下测得 ESD 两端的电压。大部分 ESD 产品 VC 与 VBR 及 IPP 成正比关系。 • C J:结电容,ESD 的结电容与 ESD 的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压 ESD 产品,芯片面积越大结电容越大;对于相同芯片面积的 ESD,工作电压越高结电容就越低。 比如峰值脉冲功率为 400W PSM712: * VRWM = 12V * VBR = 13.3V * VC = 19V@1A, 30V@8/20us@30A * IR = 1uA * CJ = 75pF@1MHz PSM712 手册:https://item.szlcsc.com/33642.html <br>
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