ESD
来自Jack's Lab
（版本间的差异）
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| − | + | * VC： 钳位电压，在给定大小的 IPP 下测得 ESD 两端的电压。大部分 ESD 产品 VC 与 VBR 及 IPP 成正比关系。 | |
| − | + | * C J：结电容，ESD 的结电容与 ESD 的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压 ESD 产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的 ESD，工作电压越高结电容就越低。 | |
2021年2月2日 (二) 13:13的版本
Overview
- VRWM：反向截止电压，通俗地讲，就是 ESD 允许施加的最大工作电压，在该电压下 ESD 处于截止状态，此时 ESD 的漏电流很小，为几 uA 甚至更低。
- VBR：击穿电压，击穿电压是 ESD 要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为 1mA 的 电流下测量。
- IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。
- IR：反向漏电流，即在 ESD 器件两端施加 VRWM 电压下测得 ESD 的漏电流。
- VC： 钳位电压，在给定大小的 IPP 下测得 ESD 两端的电压。大部分 ESD 产品 VC 与 VBR 及 IPP 成正比关系。
- C J：结电容，ESD 的结电容与 ESD 的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压 ESD 产品，芯片面积越大结电容越大；对于相同芯片面积的 ESD，工作电压越高结电容就越低。
比如峰值脉冲功率为 400W PSM712:
- VRWM = 12V
- VBR = 13.3V
- VC = 19V@1A, 30V@8/20us@30A
- IR = 1uA
- CJ = 75pF@1MHz
PSM712 手册：https://item.szlcsc.com/33642.html
