ESD

来自Jack's Lab
2021年2月2日 (二) 13:17Comcat (讨论 | 贡献)的版本

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1 Overview

  • VRWM:反向截止电压,通俗地讲,就是 ESD 允许施加的最大工作电压,在该电压下 ESD 处于截止状态,此时 ESD 的漏电流很小,为几 uA 甚至更低。
  • VBR:击穿电压,击穿电压是 ESD 要开始动作(雪崩击穿)的电压,一般在规定的电流下测量,通常在大小为 1mA 的 电流下测量。
  • IPP:峰值脉冲电流,一般采用8/20μs的波形测量。
  • IR:反向漏电流,即在 ESD 器件两端施加 VRWM 电压下测得 ESD 的漏电流。
  • VC: 钳位电压,在给定大小的 IPP 下测得 ESD 两端的电压。大部分 ESD 产品 VC 与 VBR 及 IPP 成正比关系。
  • C J:结电容,ESD 的结电容与 ESD 的芯片面积、工作电压有关系。对于相同电压 ESD 产品,芯片面积越大结电容越大;对于相同芯片面积的 ESD,工作电压越高结电容就越低。


比如峰值脉冲功率为 400W PSM712:

  • VRWM = 12V
  • VBR = 13.3V
  • VC = 19V@1A, 30V@8/20us@30A
  • IR = 1uA
  • CJ = 75pF@1MHz

PSM712 手册:https://item.szlcsc.com/33642.html


2 选型指南

  • ESD 静电二极管的截止电压 Vwm 要大于电路中最高工作电压;
  • 脉冲峰值电流 IPP 和最大箝位电压 VC 的选择,要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择合适 IPP 的型号,需要注意的是,此时的 VC 应小于被保护晶片所能耐受的最大峰值电压;
  • 用于信号传输电路保护时,一定要注意所传输信号的频率或传输速率,当信号频率或传输速率较高时,应选用低电容系列的ESD静电二极管;
  • 根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装。ESD封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小,一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大,防护等级也越高,反之亦然。


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