“MOSFET”的版本历史
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说明:
(当前)
=与最后版本之间的差异,
(先前)
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小
=小编辑。
(当前 |
先前
)
2022年8月1日 (一) 16:25
Comcat
(
讨论
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贡献
)
. .
(0)
. .
(
→
-12 & +12V
)
(
当前
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先前
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2022年8月1日 (一) 16:25
Comcat
(
讨论
|
贡献
)
. .
(+19)
. .
(
→
-12 & +12V
)
(
当前
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先前
)
2022年8月1日 (一) 16:24
Comcat
(
讨论
|
贡献
)
. .
(+52)
. .
(
→
晶闸管
)
(
当前
|
先前
)
2022年8月1日 (一) 16:12
Comcat
(
讨论
|
贡献
)
. .
(+70)
. .
(
→
晶闸管
)
(
当前
|
先前
)
2022年8月1日 (一) 16:12
Comcat
(
讨论
|
贡献
)
. .
(+138)
. .
(
→
晶闸管
)
(
当前
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先前
)
2022年8月1日 (一) 16:10
Comcat
(
讨论
|
贡献
)
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(+48)
. .
(
当前
| 先前)
2022年8月1日 (一) 16:06
Comcat
(
讨论
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贡献
)
. .
(+2,419)
. .
(以“== MOS == DS(漏源极)间的导通电压条件: * N-MOS DS 为正电压 * P-MOS DS 间为负电压 便于记忆:看 N、P 的符号,稳压二极管不...”为内容创建页面)
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