MOSFET
来自Jack's Lab
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2022年8月1日 (一) 16:25的版本
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1 晶闸管
- C14796 BT138-600E,127 WeEn(瑞能) TO-220 / 晶闸管(可控硅)
- C33904 MOC3041SR2M onsemi(安森美) DIP6 / 光耦-可控硅
参考:PCB恒温加热台
2 -12 & +12V
- FZT851
- FZT850
3 MOS
DS(漏源极)间的导通电压条件:
- N-MOS DS 为正电压
- P-MOS DS 间为负电压
便于记忆:看 N、P 的符号,稳压二极管不流电流只有电压是为其有效导通电压条件
3.1 N-MOS
GS 为正向电压是导通
- 1: G (左上)
- 2: S (左下)
- 3: D(右边)
DS 不可为负值 (0 或 正值)
电源开关应用中,常将 S 接 GND,D 接 VCC,栅极 (G) 高电平导通
- AO3400: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 5.8A
- YJL3400: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 5.6A
- SI1304BDL: Vds = 20V, Vgs = +-12V, Id = 4A
- SI2302CDS: Vds = 20V, Vgs = +-8V, Id = 2.6A
- SI2302DDS: Vds = 20V, Vgs = +-8V, Id = 2.9A
- WST3052: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 2.5A
- AO3406: 30V, +-20V, 3.5A
- AO3404: 30V, +-20V, 5.3A
SI2302 作为电源开关实际测试:
- D ---> 3.3V
- G ---> MCU_PIN
- S ---> Vsup 为传感器供电
导通时,空载 Vsup = 2.9V 左右,关闭时 Vsup = 0.5V 左右。带载时(MCP3421),Vsup = 2.3V 左右 假 SI2302,貌似是晶体管打磨,和三极管表现同
导通时,空载 Vsup = 2.9V 左右,关闭时 Vsup = 0.5V 左右。带载时(MCP3421),Vsup = 2.69V,带压力传感器,Vsup = 2.3V
3.2 P-MOS
GS 为负电压时导通
- 1: G (左上)
- 2: S (左下)
- 3: D(右边)
DS 不为正值 (0 或 负值)
开关类实际应用中,常将 S 接 VCC,D 接 GND,栅极 (G) 低电平导通
- AO3407A: Vds = -30V, Vgs = +-20V, Id = -4.1A (有 sgw-4g)
- AO3401: -30V, +-20V, -5.4A
- YJL3401: Vds = -30V, Vgs = +-12V, Id = -4.4A
- SI2301A: Vds = -20V, Vgs =+-12V, Id = -2.8A
- SI1308EDL: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 1.5A
- AO3415: Vds = -20V, Vgs = +-8V, Id = -4.8A
- SI2301B: Vds = -20V, Vgs =+-8V, Id = -2.5A
SI2301: S 接 VCC = 3.287V,D 给传感器供电,
- G 为高电平时,D 端电压为 0.8V
- G 为低电平,小电流负载 MCP342x,D 端电压 3.287V 几乎无压降;
- G 为低电平,负载压力传感器,,D 端电压 3.287V 也几乎无压降;