MOSFET

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(晶闸管)
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参考:[https://www.szlcsc.com/info/13907.html PCB恒温加热台]
 
参考:[https://www.szlcsc.com/info/13907.html PCB恒温加热台]
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== -12 & +12V ==
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2022年8月1日 (一) 16:24的版本

目录

1 晶闸管

Triac-01.png

  • C14796 BT138-600E,127 WeEn(瑞能) TO-220 / 晶闸管(可控硅)
  • C33904 MOC3041SR2M onsemi(安森美) DIP6 / 光耦-可控硅

参考:PCB恒温加热台


2 -12 & +12V

Open-evc-02.jpg


3 MOS

DS(漏源极)间的导通电压条件:

  • N-MOS DS 为正电压
  • P-MOS DS 间为负电压

便于记忆:看 N、P 的符号,稳压二极管不流电流只有电压是为其有效导通电压条件


3.1 N-MOS

GS 为正向电压是导通

N-MOS-SI2302.jpg

  • 1: G (左上)
  • 2: S (左下)
  • 3: D(右边)

DS 不可为负值 (0 或 正值)

电源开关应用中,常将 S 接 GND,D 接 VCC,栅极 (G) 高电平导通


  • AO3400: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 5.8A
  • YJL3400: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 5.6A
  • SI1304BDL: Vds = 20V, Vgs = +-12V, Id = 4A
  • SI2302CDS: Vds = 20V, Vgs = +-8V, Id = 2.6A
  • SI2302DDS: Vds = 20V, Vgs = +-8V, Id = 2.9A
  • WST3052: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 2.5A
  • AO3406: 30V, +-20V, 3.5A
  • AO3404: 30V, +-20V, 5.3A


SI2302 作为电源开关实际测试:

  • D ---> 3.3V
  • G ---> MCU_PIN
  • S ---> Vsup 为传感器供电

导通时,空载 Vsup = 2.9V 左右,关闭时 Vsup = 0.5V 左右。带载时(MCP3421),Vsup = 2.3V 左右 假 SI2302,貌似是晶体管打磨,和三极管表现同

导通时,空载 Vsup = 2.9V 左右,关闭时 Vsup = 0.5V 左右。带载时(MCP3421),Vsup = 2.69V,带压力传感器,Vsup = 2.3V


3.2 P-MOS

GS 为负电压时导通

P-MOS-SI2301.jpg

  • 1: G (左上)
  • 2: S (左下)
  • 3: D(右边)

DS 不为正值 (0 或 负值)

开关类实际应用中,常将 S 接 VCC,D 接 GND,栅极 (G) 低电平导通


  • AO3407A: Vds = -30V, Vgs = +-20V, Id = -4.1A (有 sgw-4g)
  • AO3401: -30V, +-20V, -5.4A
  • YJL3401: Vds = -30V, Vgs = +-12V, Id = -4.4A
  • SI2301A: Vds = -20V, Vgs =+-12V, Id = -2.8A
  • SI1308EDL: Vds = 30V, Vgs = +-12V, Id = 1.5A
  • AO3415: Vds = -20V, Vgs = +-8V, Id = -4.8A
  • SI2301B: Vds = -20V, Vgs =+-8V, Id = -2.5A


SI2301: S 接 VCC = 3.287V,D 给传感器供电,

  • G 为高电平时,D 端电压为 0.8V
  • G 为低电平,小电流负载 MCP342x,D 端电压 3.287V 几乎无压降;
  • G 为低电平,负载压力传感器,,D 端电压 3.287V 也几乎无压降;


mos管做开关的一些实际经验

mos 作开关压降问题





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