扩散硅工业级压力传感器

来自Jack's Lab
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在具有压阻效应的单晶硅膜片表面,用扩散或离子注入法,形成 4 个阻值相等的电阻条,并将它们连接成惠斯通电桥,电桥电源端和输出端引出,封装后,即为扩散硅压阻式压力传感器。此类 X 形硅压力传感器最早由摩托罗拉公司设计出
 
在具有压阻效应的单晶硅膜片表面,用扩散或离子注入法,形成 4 个阻值相等的电阻条,并将它们连接成惠斯通电桥,电桥电源端和输出端引出,封装后,即为扩散硅压阻式压力传感器。此类 X 形硅压力传感器最早由摩托罗拉公司设计出
  
其工作原理:在 X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流,当敏感芯片没有外加压力作用,内部电桥处于平衡状态,当有剪切力作用时,在垂直电流方向将会产生电场变化 ,该电场的变化引起电位变化,则在端可得到被与电流垂直方向的两侧压力引起的输出电压 Uo
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其工作原理:在 X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流,当敏感芯片没有外加压力作用,内部电桥处于平衡状态,当有剪切力作用时,在垂直电流方向将会产生一个输出电压 Uo,此电压与压力成正比
  
 
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2018年10月5日 (五) 00:24的版本

1 概述

在具有压阻效应的单晶硅膜片表面,用扩散或离子注入法,形成 4 个阻值相等的电阻条,并将它们连接成惠斯通电桥,电桥电源端和输出端引出,封装后,即为扩散硅压阻式压力传感器。此类 X 形硅压力传感器最早由摩托罗拉公司设计出

其工作原理:在 X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流,当敏感芯片没有外加压力作用,内部电桥处于平衡状态,当有剪切力作用时,在垂直电流方向将会产生一个输出电压 Uo,此电压与压力成正比



2 参考

















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